RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3417
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link