RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3372
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link