RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
4167
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link