Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 31

Wokół strony 3% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

11.3 10.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.0 6.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 8500

Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1479 2066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns