RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2533
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link