RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
56
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
56
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2071
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link