RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
64
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
64
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2197
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link