RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2352
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link