RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
58
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2172
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link