RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2312
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link