RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2913
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link