RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3448
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link