RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2551
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link