RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
43
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
2972
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link