RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
52
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
52
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2306
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link