RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3963
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link