RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2511
3066
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link