RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
4380
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link