RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
4380
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link