RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
48
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
2281
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link