RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2173
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link