RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
65
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
65
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2041
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link