RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2438
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link