RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3239
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link