RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3025
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link