RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2447
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link