RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
55
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
55
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2232
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT41GU7AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link