RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3131
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link