RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
53
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2897
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link