RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2174
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link