RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2174
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link