RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2414
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link