RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
41
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2290
2600
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link