RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2740
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link