RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3046
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link