RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3116
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link