Porównanie pamięci RAM Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Wynik ogólny

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

20 41

Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

18.9 13.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.6 8.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 12800

Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2322 3022

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns