RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
65
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2466
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link