RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
68
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
3665
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link