RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
60
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
35
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3147
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre 0000 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link