RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
60
Wokół strony -233% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
18
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3668
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link