RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3482
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link