RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3156
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link