RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
60
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
55
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2701
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link