RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3122
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link