RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3637
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link