RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3718
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link