RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
63
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
3510
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link