RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3827
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link