RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
2213
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link