RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
1949
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMZ16GX3M4A2133C11 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link